Ilmuwan China temukan memory perpaduan dari RAM dan ROM

Jenis memori terbaru yang diciptakan oleh sejumlah peneliti asal China bisa membuat keberadaan RAM dan ROM saat ini hanya menjadi sejarah di masa depan.

Kelompok peneliti asal Shanghai, China, berhasil menciptakan tipe ketiga dari memori, di luar RAM dan ROM. Temuan tersebut dipublikasikan dalam Nature Nanotechnology, jurnal ilmiah yang berasal dari Britania Raya.

Jenis memori baru tersebut akan memungkinkan tersimpannya data dalam suatu periode yang telah ditentukan sebelum informasi tersebut benar-benar hilang. Selain itu, kelompok peneliti dari Fudan University tersebut juga menyebutkan bahwa memori buatan mereka dapat mengurangi konsumsi energi dari superkomputer.

Menurut Zhang Wei selaku pemimpin dari tim peneliti tersebut, kekurangan yang masing-masing dimiliki oleh RAM dan ROM menjadi latar belakang diciptakannya media penyimpanan baru ini.

"Yang satu (RAM) memiliki kecepatan dalam mengolah dan memindahkan data, tapi informasi yang disimpan di dalamnya dapat hilang secara seutuhnya saat komputer mati," ujarnya, sebagaimana dikutip dari China Daily.

"Sedangkan yang lain, seperti ROM dan flash drive, data yang disimpan di dalamnya bisa bertahan hingga 10 tahun, tapi kecepatannya bisa dibilang cukup buruk," kata pria yang juga menjabat sebagai Direktur Sekolah Mikroelektronik di Fudan University.

Teknologi di dalam media penyimpanan baru ini pun, sebagaimana disebutkan oleh Wei, mampu mengolah dan memindahkan data 10.000 kali lebih cepat dari flash drive yang beredar saat ini. Selain itu, memori baru ini juga mampu mengatur berapa lama informasi di dalamnya dapat tersimpan, mulai hanya 10 detik hingga 10 tahun lamanya.